Ge掺杂ZnO薄膜光学特性的研究

范东华; 王相虎

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采用射频磁控共溅射法在硅基片上沉积了Ge掺杂ZnO薄膜,所制备的样品具有强蓝光发射和弱黄光发射.通过分析Ge掺入量和退火温度对发光谱的影响,并与相同条件下所沉积的纯ZnO薄膜的发光特性进行比较,结果表明,蓝光发射可能与Ge杂质形成的施主能级有关,弱黄峰可能源于Ge替代Zn空位形成的杂质能级到价带的跃迁复合.

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来源
《材料导报》 |2010年第12期|17-19,22|共4页
作者
范东华; 王相虎;
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作者单位

五邑大学应用物理与材料学院,江门,529020;

上海电机学院机械学院,上海,200240;

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正文语种 chi
中图分类半导体化学;
关键词
Ge掺杂ZnO薄膜; 光致发光; 蓝光发射; 黄光发射;

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