高能粒子辐照对InGaN材料电子浓度和光致发光的影响

董少光

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高能粒子辐照对InGaN材料电子浓度和光致发光的影响

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研究了高能粒子辐照对InGaN材料的电子浓度变化和PL光谱强度在不同温度下变化的影响。高能粒子辐照使InGaN材料的电子浓度明显增加,表明辐照损伤在InGaN材料中产生的本征点缺陷主要是类施主点缺陷,高能粒子辐照产生的高浓度本征点缺陷最终将缺陷的Fermi能稳定在EFS处。在低温和室温条件下,InGaN材料的PL光谱随高能粒子辐照剂量的增加而变宽,且PL峰能向高能方向偏移。InGaN材料的PL光谱随辐照剂量的增加而变宽,原因是该材料中电子浓度的增加以及k选择的紊乱。研究结果表明,与一般的太阳能电池材料GaAs和GaInP相比,InGaN材料具有非常优越的抗辐照性能。

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来源
《材料导报》 |2010年第s2期|376-380|共5页
作者
董少光;
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作者单位

佛山科学技术学院光电子与物理学系;

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正文语种 chi
中图分类发光学;
关键词
InGaN材料; 辐照; 电子浓度; PL光谱;

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