外延生长亚单层Si薄膜的动力学蒙特卡罗模拟

王全彪; 杨瑞东; 杨宇

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外延生长亚单层Si薄膜的动力学蒙特卡罗模拟

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建立了沿Si(100)方向外延生长亚单层Si薄膜的动力学蒙特卡罗模拟模型,对二维Si薄膜的生长过程及二维Si岛的形貌演变进行了研究.结果表明,在一定的入射率下存在一最佳成岛温度,该温度随入射率的增大而升高.以最佳成岛温度生长时,岛密度随覆盖度的增加呈现增加-饱和-减小的变化规律.在低温和高入射率下,岛密度随覆盖度单调增加,薄膜呈离散生长.而温度很高和入射率很低时,岛密度始终以很小的数值在小范围内振荡,薄膜呈紧致生长.

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来源
《材料导报》 |2007年第2期|128-131|共4页
作者
王全彪; 杨瑞东; 杨宇;
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作者单位

云南大学材料科学与工程系,昆明,650091;

红河学院物理系,蒙自,661100;

云南大学材料科学与工程系,昆明,650091;

红河学院物理系,蒙自,661100;

云南大学材料科学与工程系,昆明,650091;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类工程材料学;
关键词
Si薄膜生长; 动力学蒙特卡罗; 岛密度;

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