电子封装用高硅铝合金热膨胀性能的研究

张伟; 杨伏良; 甘卫平; 刘泓

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采用雾化喷粉与真空包套热挤压工艺制备了高硅铝合金电子封装材料,测定了合金在100~400℃间的热膨胀系数值,并运用理论模型对该温度区间的热膨胀系数进行了计算,分析了高硅铝合金材料热膨胀性能的影响因素。结果表明:Si相作为增强体能显著改善Al-Si合金的微观组织与热膨胀性能,430℃热挤压下的高硅铝合金材料在100~400℃之间的热膨胀系数平均值与Turner模型很接近。

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来源
《材料导报》 |2006年第s1期|348-350|共3页
作者
张伟; 杨伏良; 甘卫平; 刘泓;
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作者单位

中南大学材料科学与工程学院;

中南大学材料科学与工程学院;

中南大学材料科学与工程学院;

中南大学材料科学与工程学院长沙410083;

长沙410083;

长沙410083;

长沙410083;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TG113.222;
关键词
电子封装; 高硅铝合金; 热膨胀系数; 理论模型;

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