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微米／纳米TiO2对高频MnZn功率铁氧体的影响

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摘要

研究了普通微g／N米TiO2对MnZn功率铁氧体性能的影响，结果表明：普通微米TiO2可提高铁氧体起始磁导率和晶界电阻率，降低材料的损耗；而纳米TiO2则会促进晶粒异常长大，增大材料的气孔率，降低材料的磁导率，增大材料的损耗。

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来源
《材料导报》 |2004年第F10期|P.147-149|共3页
作者
余忠; 兰中文; 葛长春; 王京梅;
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作者单位

电子科技大学微电子与固体电子学院;

成都610054;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类特种结构材料;
关键词
MnZn功率铁氧体; 纳米TiO2; 微米; 高频; 起始磁导率; 材料; 电阻率; 气孔率; 损耗; 增大;

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