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靳正国; 刘晓新; 步绍静; 程志捷;
先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室,天津大学材料学院,天津,300072;
SILAR法 无机化合物 薄膜制备;
机译:响应面法通过连续离子层吸附与反应(SILAR)法沉积CuS薄膜的制备条件的优化与建模
机译:SILAR法常温制备纳米CePO4:Tb3 +薄膜及其发光转换特性
机译:ITO上Silar法合成CuInS_2薄膜的制备及性能
机译:SILAR法制备的CdS薄膜的结构和光学性质
机译:通过电沉积法为能量储存,催化和生物传感器应用的电沉积方法合理制备二硫化钼和金属掺杂钼二硫化薄膜
机译:宽带隙氧化物衬底对通过连续离子层吸附和反应(SILAR)法生长的CdS纳米粒子的光电化学性质和结构无序的影响
机译:通过SILAR方法制备的CZTS薄膜的电学和光学性质
机译:傅立叶变换红外(FTIR)光谱法分析有害无机化合物
机译:多组分无机化合物的气体反应性测定方法,同一组分中使用的多组分无机化合物薄膜和多组分无机化合物的气体反应率测定装置
机译:原子层沉积法中用卤化物掺杂部分氧化物薄膜的卤化物掺杂源,制备卤化物掺杂源,原子层沉积法中用卤化物掺杂部分氧化物薄膜和卤化物的方法用该方法制成的掺杂氧化物薄膜
机译:层状无机化合物和有机化合物的配合物及其制备方法,层状层状无机化合物和制备方法,绝缘树脂成分,树脂板,绝缘子,树脂片固化物和热固性材料
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