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直拉硅中氧化诱生层错研究进展

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摘要

硅中的氧化诱生层错(OsF)是一种重要的工艺诱生缺陷,会对微电子器件产生重大影响,为提高硅片质量.要求对OSF有充分了解.综述了氧化诱生层错的研究进展,着重讨论了 OSF的形成动力学、影响因素和检测方法.并指出:OSF是一种由点缺陷行为决定的工艺诱生缺陷.

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来源
《材料导报》 |2001年第11期|35-37|共3页
作者
储佳; 杨德仁; 阙端麟;
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作者单位

浙江大学;

浙江大学;

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正文语种 chi
中图分类工程材料学;
关键词
氧化诱生层错; 直拉硅单晶; 氧沉淀;

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