CVD法制备SiC薄膜的气孔分布及显微结构分析

陈玉峰; 唐婕

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在较低温度下，采用ＣＶＤ法制备出了β－ＳｉＣ薄膜，薄膜的厚度随反应时间具有线性增加的关系。通过对在不同条件下制备样品的显微结构和气孔大小分布的分析，发现提高温度和增加反应时间不仅可以降低气孔含量，而且可以降低大气孔的数量，从而形成密实结构。因此认为，在低温条件下，ＳｉＣ的生长机制是一处受化学反应速度控制的过程，其中包括过饱和、凝聚、融合等过程，大气孔主要是由于反应速度过慢而形成的。另外，随着反应时间的增加，ＣＶＤ过程实际上变成了一个等温的ＣＶＩ过程，ＳｉＣ颗粒的扩散填充是造成薄膜中的大气孔减少的主要原因。

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来源
《材料导报》 |2000年第Z10期|259-262|共4页
作者
陈玉峰; 唐婕;
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作者单位

高性能陶瓷及精细工艺实验室;

中国建筑材料科学研究院,北京;

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正文语种 CHI
中图分类薄膜技术;
关键词
CVD; 显微结构; 气孔分布; 生长机制; SiC薄膜;

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