Ti3SiC2晶粒生成模型

汤珂; 汪长安

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提出了关于Ｔｉ３ＳｉＣ２晶粒生长的模型。在Ｔｉｓ３ＳｉＣ２晶粒的生长中，Ｔｉ６Ｃ八面体可以作为一个独立的生长单元，Ｔｉ６Ｃ八面体的联接方式（如共面，共梭、共顶）将会对Ｔｉ３ＳｉＣ２的生长形貌和生长行为产生很大的影响。这个模型可以解释有关Ｔｉ３ＳｉＣ２生长形貌的许多现象，如在使用ＣＶＤ法制备Ｔｉ３ＳｉＣ２时出现的｛１１２＾－０｝织构。

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来源
《材料导报》 |2000年第Z10期|108-109|共2页
作者
汤珂; 汪长安;
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作者单位

清华大学材料科学与工程系,新型陶瓷与精细工艺国家重点实;

清华大学材料科学与工程系,新型陶瓷与精细工艺国家;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类 TQ174.758;
关键词
Ti3SiC2; 晶粒生长模型; 陶瓷材料; 晶体结构;

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