LSI与高熔点金属的高纯度化

张汉民

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高熔点金属在LSI中的应用LSI发展对栅极、配线材料的要求随着大规模集成电路(LSI)高度集成化和微型化的进展,由传统使用的多晶硅栅极和配线自身电阻引起的信号传播延迟现象以及因热迁移和电迁移导致的铝配断线现象,越来越严重地影响着大规模集成电路的性能和可靠性。因此,开发作栅极和配线用的新材料,就成了大规模和超大规模集成电路研制工作中的最重要的课题。高熔点金属Mo、W、Ti等的优点是,电阻比多晶硅低,而且在大规模集成电路制作过程中能耐约1000℃的热处理。

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来源
《材料导报》 |1990年第8期|20-26|共7页
作者
张汉民;
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作者单位

无;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类大规模集成电路、超大规模集成电路;
关键词
金属; 纯度; LSI; 高熔点; 材料;

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