脉冲激光沉积c轴取向BiCuSeO外延薄膜及其热电性能

袁大超; 郭双; 郝建军; 马跃进; 王淑芳

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脉冲激光沉积c轴取向BiCuSeO外延薄膜及其热电性能

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利用脉冲激光沉积技术在SrTiO3单晶基片上制备了BiCuSeO薄膜并详细研究了沉积温度对薄膜晶体结构、微观形貌及热电输运性能的影响.在最佳沉积温度(330℃)下,所制备的BiCuSeO薄膜不含任何杂相且沿c轴取向外延生长,与基片的外延关系为[010]SrTiO3∥[010]Bi-CuSeO和[001]SrTiO3∥[100]BiCuSeO.电学性能测试表明该薄膜在20～350 K内均表现出金属导电特性,室温电阻率仅为12.5 mΩ?cm,远低于相应的多晶块体材料.计算所得的室温功率因子PF约为3.3μW?cm-1?K-2,高于相应的多晶块体材料,表明c轴取向BiCuSeO外延薄膜在薄膜热电器件领域具有重要的应用前景.

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来源
《材料导报》 |2019年第1期|152-155|共4页
作者
袁大超; 郭双; 郝建军; 马跃进; 王淑芳;
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作者单位

河北农业大学机电工程学院;

保定071001;

河北大学物理科学与技术学院;

保定071002;

河北大学物理科学与技术学院;

保定071002;

河北农业大学机电工程学院;

保定071001;

河北农业大学机电工程学院;

保定071001;

河北大学物理科学与技术学院;

保定071002;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类功能材料;薄膜物理学;
关键词
铋铜硒氧外延薄膜; c轴取向; 热电性能; 脉冲激光沉积;

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