基于硅基WLP封装的深孔刻蚀工艺研究

倪烨; 徐浩; 孟腾飞; 袁燕; 王君; 张玉涛

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基于硅基WLP封装的深孔刻蚀工艺研究

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本工作针对硅基晶圆级封装(WLP,Wafer level package)的关键工艺技术——深孔刻蚀工艺进行了研究,通过对掩蔽层材料的选择和图形化工艺研究,制备出满足深孔刻蚀工艺要求的掩蔽层,并采用干法刻蚀设备进行深孔刻蚀和工艺优化,最终制作出工艺指标为:刻蚀深度185μm、深宽比9∶1、陡直度90.08°、侧壁粗糙度小于64 nm、选择比46∶1的硅深孔样品。该深孔刻蚀工艺可应用于薄膜体声波滤波器(FBAR,Film bulk acoustic resonator)晶圆级封装工艺的硅通孔互联(TSV,Through silicon via)技术中。

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来源
《材料导报》 |2021年第s02期|110-114|共5页
作者
倪烨; 徐浩; 孟腾飞; 袁燕; 王君; 张玉涛;
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作者单位

北京无线电测量研究所;

北京100854;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体器件制造工艺及设备;
关键词
晶圆级封装; 深孔刻蚀; 硅通孔互联;

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