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李连碧; 陈治明; 李青民;
西安理工大学,电子工程系,西安,710048;
SiC; SiCGe; 岛状生长; 热壁化学气相沉积;
机译:SiC上SiCGe薄膜的岛生长
机译:刻蚀衬底上外延消除SiC薄膜基面位错的机理
机译:在6H-SiC衬底上生长的SiCGe层的异质外延缺陷和光学特性
机译:AlN,4H-SiC,3C-SiC和ZrB2衬底上磷化硼的外延。
机译:脉冲激光沉积制备6H-SiC(0001)衬底上VO2薄膜的增强的相变特性
机译:取向3H-SiC衬底上3C-SiC的横向扩大生长机理
机译:siC衬底上生长的外延3C-siC,4H-siC和6H-siC薄膜缺陷的研究
机译:结构化多层结构的生产包括使用液相外延从衬底或金属层上的金属溶液中生长岛状结构,以及在岛状结构上生长覆盖层
机译:用表观SiC薄膜制造半导体SiC衬底的方法及其表观SiC薄膜形成装置
机译:在SI衬底上形成SIC晶体以允许GAN和SI电子集成的机理
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