具有梯度过渡层的DLC膜空蚀机理研究

吕博; 张建华; 吴行阳

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具有梯度过渡层的DLC膜空蚀机理研究

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本文中采用RF-CVD技术辅助于溅射、反应溅射在不锈钢基体表面沉积了纯Ti层及其化合物层的过渡层,然后在表面沉积掺硅与非掺硅类金刚石膜,研究其力学性能与抗空蚀能力.研究结果表明,增强薄膜硬度和弹性模量可以提高薄膜抗空蚀能力,但较大地弹性模量和内应力同样容易引起薄膜表层剥落.由于掺杂硅元素可使类金刚石膜在水环境中化学性质更加不稳定,所以掺杂硅元素会对薄膜抗空蚀性产生不利影响.

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来源
《计量与测试技术》 |2017年第10期|87-89,91|共4页
作者
吕博; 张建华; 吴行阳;
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作者单位

上海大学机电工程与自动化学院,上海200072;

上海大学机电工程与自动化学院,上海200072;

上海大学机电工程与自动化学院,上海200072;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类计量学;
关键词
射频气相沉积; 梯度过渡层; 类金刚石膜; 抗空蚀性;

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