厚栅n—和n—LDMOSFET高压输出电路

黄义定; 王卓; 于宗光; 李鉴

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厚栅n—和n—LDMOSFET高压输出电路

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对于PDP(plasma display panels)驱动集成电路,为了减小芯片面积和提高开关速度而提出了一种厚栅LDMOSFET(later-al double diffused MOSFETs)这种新颖的高压输出电路。同常规的电路相比,在同样的下降时间下,利用所提出的输出电路,PDP驱动集成电路的芯片面积减少了35%;在同样的芯片面积下,当电源电压为180V,负载电容为100pF时,所提出的输出电路的下降时间比常规的的电路要快2.5倍。

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来源
《科技与创新》 |2008年第26期|301-302|共2页
作者
黄义定; 王卓; 于宗光; 李鉴;
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作者单位

南阳师范学院;

中国电子科技集团58研究所;

南阳理工学院;

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正文语种 chi
中图分类设计;
关键词
n—LDMOSFET; PDP; 高压输出电路; 驱动能力; 下降时间厚栅;

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