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ShafiZA; 兰强春;
不详;
ECL电路; 异质结器件; Si/SiGe;
机译:Si / SiGe异质结双极ECL电路的预计传播延迟
机译:SiGe异质结双极晶体管双极互补金属氧化物半导体工艺中使用二极管激活的SiGe异质结双极晶体管的低电容低电压瞬态电压抑制器
机译:基于AlGaAs / GaAs,Si / SiGe和InGaAs / InP的最新异质结双极器件(HBT)的性能比较
机译:ECL缓冲电路中基于SiGe的异质结双极器件的二维DC和瞬态分析
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:具有T形栅极的高性能Si / SiGe异质结隧穿FET的设计
机译:采用减压化学气相沉积的SiGe异质结双极工艺中的低噪声放大器
机译:对于频率在0.5和18.5 mHz之间的si / siGe异质结pN二极管的等效电路和载波寿命的研究(Undersoekning av Ekvivalenta Kretsen samt Laddningsbaerarnas Livslaengder fr Frekvenser mellan 0,5 och 18,5 mHz i si / siGe Baserade Heterostruktur-Dioder av pN Typ)
机译:互补Si / SiGe异质结双极技术
机译:SiGe异质结双极晶体管和形成SiGe异质结双极晶体管的方法
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