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SturmJC; 罗浩平;
不详;
双极晶体管; CVD生长; 梯度基区;
机译:使用Si1 XGEx / Si / Si1的N + / P / N +双向开关装置的原位掺杂轮廓的研究XGEx结构
机译:GE-Rich Si1'x中电子结构和直率间隙吸收光谱的计算GEX / GE /SI1â'XGEX类型-I量子阱
机译:在没有衬底加热的情况下通过等离子CVD在Ge(100)上外延生长的高应变Si上热CVD B掺杂Si膜的电学特性
机译:从Si1上的界面层进行选择性地扫描XGex通道Si / Si1的XGex通道?XGex CMOS应用
机译:使用简化的PECVD反应器的Si-Ge-Sn半导体薄膜的生长和表征
机译:对CVD生长的单层MoS2场效应晶体管的电学特性的环境影响
机译:块状Si1 xGex梯度晶体的低压化学气相沉积及其在短波衍射中的应用
机译:si(001)衬底上生长的假晶si1-xGex合金的空穴传输理论。
机译:STI形成后具有Si1-xGex弛豫的Si1-xGex CMOS工艺集成
机译:Si1-xgex多晶层或多晶Si1-xgex / si stapelschicht的蚀刻方法,并用于制造电子订单
机译:蚀刻多晶体Si1-xGex层或多晶体Si1-xGex和Si的堆叠层的方法及其在电子器件中的应用
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