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马春兰; 程珊华; 宁兆元; 叶超; 康健; 辛煜;
苏州铁道师范学院物理系,苏州,215000;
ECR-CVD; 基片温度:非晶碳膜;
机译:使用乙炔-氧等离子体对氢化的类金刚石非晶碳膜进行ECR沉积
机译:使用ECR-RF等离子体方法沉积的氢化非晶碳膜的电子性质
机译:通过ECR-等离子体增强苯化学气相沉积制备的非晶碳膜的沉积和蚀刻
机译:用微波ECR等离子体反应器沉积氢化非晶碳膜的膜性能和沉积过程的研究。
机译:高密度Ni纳米粒子的等离子体辅助原子层沉积用于非晶In-Ga-Zn-O薄膜晶体管存储
机译:使用直流等离子体增强化学气相沉积(DC-PECVD)技术沉积的氢化非晶碳(a-C:H)薄膜的结构和光学性质
机译:用来自ECR等离子体的低能离子生长的掺铒非晶和结晶al(sub 2)O(sub 3)和La(sub 2)O(sub 3)薄膜
机译:等离子体沉积设备和使用该设备制造含氢非晶碳薄膜的方法
机译:等离子体沉积设备和用该方法制造含氢非晶碳薄膜的方法
机译:使用脉冲状ECR等离子体清洁TFT-LCD的基板和高速沉积高质量非晶非晶硅薄膜的装置和方法
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