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SIMOX结构的低温（550℃）退火形成

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本文研究了低温(550℃)退火对于SIMOX结构形成的影响。实验中发现:低温退火制备的SIMOX结构与高温(1100℃)退火制备的有明显不同。通过低温退火,可以获得质量优于高温退火的顶部硅层。低温退火可以避免在顶部硅层中氧沉淀及延伸位错等缺陷的形成。本文还讨论了退火期间SIMOX结构的形成过程。

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来源
《微细加工技术》 |1991年第1期|26-30,36|共6页
作者
陈南翔; 黄敞;
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作者单位

不详;

不详;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类半导体器件制造工艺及设备;
关键词
SIMOX结构; 低温退火; 硅片; 制备;

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