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亚微米CMOS集成电路抗总剂量辐射版图设计

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摘要

随着商业集成电路生产进入亚微米工艺时代,其生产出的微电子器件抗辐射能力不断提高,使得对专用集成电路进行抗辐加固设计成为可能.主要介绍了抗电离辐射的基本加固方法以及一种可以节省芯片面积的版图设计方法,使得在商用工艺上可以获得集成度更高的具有抗辐射能力的专用集成电路.

著录项

来源
《微处理机》 |2010年第6期|15-1620|共3页
作者
李若飞; 蒋明曦;
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作者单位

中国电子科技集团公司第四十七研究所;

沈阳;

110032;

中国电子科技集团公司第四十七研究所;

沈阳;

110032;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类微电子学、集成电路（IC）;
关键词
环绕漏极型晶体管; 亚微米CMOS集成电路; 抗辐射加固; 总剂量;

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