首页> 外文OA文献 >Total Dose Evaluation of Deep Submicron CMOS Imaging Technology Through Elementary Device and Pixel Array Behavior Analysis

【2h】

Total Dose Evaluation of Deep Submicron CMOS Imaging Technology Through Elementary Device and Pixel Array Behavior Analysis

机译：通过基本器件和像素阵列行为分析评估深亚微米CMOS成像技术的总剂量

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

Ionizing radiation effects on CMOS image sensors implemented in 0.18 µm imaging technology are presented through the analysis of the behaviour of both elementary devices such as photodiodes, gated diodes, MOSFETs and also pixel array

机译：通过对两个基本器件（例如光电二极管，门控二极管，MOSFET和像素阵列）的行为进行分析，可以得出以0.18 µm成像技术实现的对CMOS图像传感器的电离辐射效应。

著录项

作者
Goiffon Vincent; Magnan Pierre; Saint-Pé Olivier; Bernard Frédéric; Rolland Guy;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2008
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Total Dose Evaluation of Deep Submicron CMOS Imaging Technology Through Elementary Device and Pixel Array Behavior Analysis [J] . Goiffon V., Magnan P., Saint-pe O., IEEE Transactions on Nuclear Science . 2008,第期

机译：通过基本器件和像素阵列行为分析评估深亚微米CMOS成像技术的总剂量
2. Analysis on the dependence of layout parameters on ESD robustness of CMOS devices for manufacturing in deep-submicron CMOS process [J] . Tung-Yang Chen, Ming-Dou Ker IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing . 2003,第3期

机译：深亚微米CMOS工艺中布局参数对CMOS器件ESD鲁棒性的依赖性分析
3. Light Guide for Pixel Crosstalk Improvement in Deep Submicron CMOS Image Sensor [J] . T. H. Hsu, Y. K. Fang, C. Y. Lin, IEEE Electron Device Letters . 2004,第1期

机译：用于深亚微米CMOS图像传感器的像素串扰改善的光导
4. High Energetic Heavy Ions Radiation Effects on CMOS Active Pixel Image Sensor in Deep-submicron Technology [C] . Xiaofeng Jin, Suge Yue, Liyan Liu International Conference on Advances in Information Technologies and Communication . 2012

机译：深度高能量的重离子辐射辐射效应深亚微米技术中的CMOS活性像素图像传感器
5. Physical modeling and analysis of deep-submicron silicon-on-insulator CMOS devices and circuits. [D] . Workman, Glenn Orrick, IV. 1999

机译：深亚微米绝缘体上CMOS器件和电路的物理建模和分析。
6. A 45 nm Stacked CMOS Image Sensor Process Technology for Submicron Pixel [O] . Seiji Takahashi, Yi-Min Huang, Jhy-Jyi Sze, 2017

机译：用于亚微米像素的45 nm堆叠式CMOS图像传感器处理技术
7. Total dose evaluation of deep submicron CMOS imaging technology through elementary device and pixel array behavior analysis [O] . Goiffon Vincent, Magnan Pierre, Saint-Pé Olivier, 2008

机译：通过基本器件和像素阵列行为分析评估深亚微米CMOS成像技术的总剂量

Total Dose Evaluation of Deep Submicron CMOS Imaging Technology Through Elementary Device and Pixel Array Behavior Analysis

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅