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王玉平;
新乡学院物理与电子工程学院;
二维材料; 光吸收; 异质结; 第一性原理计算;
机译:二维n-InSe / p-GeSe(SnS)van der Waals异质结:高载波迁移率和宽带性能
机译:新型二维B4C3 / G-C3N4范德瓦尔斯的光催化性质具有中度带隙和高载体移动性的异质结:理论研究
机译:GESE_(2-X)SN_X / N-Si太阳能电池的异质结构:电子性质和光电性能的提高
机译:/ In2O3 / TiO2纳米管阵列复合异质结半导体的制备和光电流响应性能研究
机译:新型半导体异质结构系统的研究:I.氧化铈/硅异质结构II。 6.1基于半导体的雪崩光电二极管。
机译:电荷转移激子束缚的理论研究聚合物半导体材料中的能量:基于富勒烯的本体异质结太阳能电池
机译:研究新型半导体异质结构系统:I:氧化铈/硅异质结构。 II:6.1°基于半导体的雪崩光电二极管
机译:mIs(金属 - 绝缘体 - 半导体)反转/累积层,异质结和量子阱中二维受限载流子的电子性质研究。
机译:-具有导体-半导体的横向异质结结构的导体-半导体的横向异质结切换方法及其制造二维尺寸的方法
机译:2 2二维异质结的结构及二维异质结的形成方法
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