Al4SiC4氮化法制备AlN-SiC纳米复合粉末

KiyoshiItatani; 崔立新; 张铁军

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通过比表面积为15．5m2·g-1的Al4SiC4粉的氮化法制备得到了AIN—SiC纳米复合粉末。在1400℃或高于此温度下保温3h，氮化后的粉末中含有由富AIN和富SiC相组成的2H相。均匀固溶体的形成随氮化温度从1400℃升至1500℃而推进。1500℃保温3h氮化得到的AIN—SiC粉末的比表面积是19．5m2·g-1，而初晶(假定为球形颗粒)尺寸估计大约为100纳米。

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来源
《现代冶金（内蒙古）》 |2005年第1期|30-32|共3页
作者
KiyoshiItatani; 崔立新; 张铁军;
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作者单位

不详;

美国;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类 TF123.11;
关键词
AIN; 氮化; 纳米复合粉末; 尺寸; 估计; 固溶体; 相组成; 制备; 比表面积; 球形颗粒;

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