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李建宇; 孔德琨; 王北华; 王秀英;
中电建路桥集团有限公司;
北京 100048;
北京交通大学;
北京 100044;
连拱隧道; 3导洞法; 主洞开挖错距; 台阶长度;
机译:用Blaha效应研究KCl:Sr2 +单晶中位错与杂质的相互作用第二部分位错与杂质之间各种力-距关系的位错与聚集体的相互作用。
机译:固体自由表面的表面台阶-位错转变和位错成核
机译:从半导体表面台阶形成位错:从头算研究
机译:4H-SiC无台阶台阶型衬底上MOCVD GaN / AlN薄膜中的位错形核和生长
机译:确定磁距距,深度,结构指标和磁化率的SOUTH算法的开发和应用。
机译:II类错牙合患者中上颌和下颌根尖长度与牙齿拥挤或间隔的严重程度之间的关联:一项体外研究
机译:半导体中表面台阶的位错形成:ab 初始研究
机译:In(49)Ga(51)p太阳电池中位错与扩散长度的相关性研究
机译:标距长度效应和标距长度转换
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