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梁继然; 胡明; 阚强; 后顺保; 梁秀琴; 陈弘达;
天津大学电子信息工程学院;
中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室;
中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心;
VO2薄膜; 电致相变; 热致相变; 射频磁控溅射;
机译:射频磁控溅射V-金属靶沉积二氧化钒薄膜的特性
机译:射频磁控溅射合成高导电透明纳米Cd1-xSnxS薄膜及其光,电和场致发射特性的研究
机译:反应射频磁控溅射沉积及后续退火工艺在(0001)或(1010)Al_2O_3上制备二氧化钒和七氧化二钒薄膜
机译:射频磁控溅射和直流磁控溅射制备相变随机存取存储器Ge_2Sb_2Te_5薄膜
机译:射频磁控溅射生长的GaN薄膜的特性用于制造AlGaN / GaN HEMT生物传感器
机译:射频磁控溅射在CpTi衬底上制备TiC薄膜的微观结构结构和摩擦学特性的数据集
机译:射频磁控溅射TiO2纳米结构薄膜中由相变引起的光学参数
机译:通过射频磁控溅射制备的电可调谐微波器件
机译:用射频磁控溅射法和薄膜太阳能电池用射频薄膜制备木质薄膜的方法
机译:通过防止多层膜结构形成过程中二氧化钒的相变来保持热变色特性的热变色玻璃的制造方法
机译:二氧化钒纳米线及其制造方法以及使用二氧化钒纳米线的纳米线装置
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