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杨振川; 吕佳楠; 闫桂珍; 陈敬;
北京大学微米/纳米加工技术国家级重点实验室;
北京大学微电子学研究院;
香港科技大学电子与计算机工程系;
干法刻蚀; 氮化镓(GaN); MEMS;
机译:氮化镓硅(GPS)技术用于制造基于GaN的MEMS
机译:通过测量和技术-计算机辅助设计仿真研究金属-绝缘体-半导体场效应晶体管和高电子迁移率晶体管的氮化镓/氮化镓铝/氮化镓高压晶体管中的表面电荷和陷阱
机译:IMEC吹捧硅锗MEMS,硅氮化镓和太阳能电池技术
机译:使用CCl_2F_2,CCl_4及其与N_2和空气的混合物对氮化镓进行干法刻蚀
机译:基于砷化铟镓/磷化铟和氮化铝镓/氮化镓HEMT中二维电子气中的等离激元激发的可调太赫兹探测器。
机译:复合体系镓氮化镓GaN-氮化镓锡中的新型氮化物纳米粒子
机译:基于铝和氮化镓在硅碳化硅衬底上生长铝和氮化镓氮化镓的复合材料的介电和热电性能
机译:镓弧蒸发系统氮化镓气相氮化物生长氮化镓的研究。
机译:生长用于基于氮化镓的半导体电子器件的氮化镓半导体膜的方法,制造基于氮化镓的半导体电子器件的方法,外延衬底以及基于氮化镓的半导体电子器件
机译:-iii-氮化物-半导体晶体的制备方法,基于氮化镓的化合物半导体的制备方法,基于氮化镓的化合物半导体,发光器件由基于氮化镓的化合物半导体和使用的光源,发光半导体器件
机译:制造III族氮化物晶体的方法,制造基于氮化镓的复合半导体的方法,基于氮化镓的复合半导体,基于氮化镓的复合导体的光导体和设备
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