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静电诱发玉米根尖细胞染色体畸变效应的研究

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利用玉米根尖染色体畸变和微核率的分析方法,检测高压静电场的诱变效应。结果表明:在300kV/m 的电场强度下,辐照2,4,6,8h 后,各处理组的染色体畸变率和微核率均明显高于对照组,并有随辐照剂量增大而提高的趋势。

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来源
《核农学通报》 |1992年第4期|P.156-158|共3页
作者
赵建萍; 崔宝欣;
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作者单位

不详;

不详;

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正文语种 CHI
中图分类 S513.035.2;
关键词
高压静电场; 玉米; 染色体畸变; 育种;

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