基于蒙特卡罗方法的GaN,SiC等半导体β辐射特性研究

左国平; 周剑良; 柯国土

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基于蒙特卡罗方法的GaN,SiC等半导体β辐射特性研究

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利用蒙特卡罗方法研究了GaN、SiC等几种宽带隙半导体材料在β源辐照下的行为.结果表明表层中沉积的β粒子数密度随材料密度的增加而增加,其最大电子数密度与物质密度间存在近似的线性关系；电子数密度随粒子入射深度成指数衰减,随横向迁移距离的增加而迅速衰减,其横向最大迁移距离在6 mm左右.相对高能电子而言,低能电子更容易发生电离作用,且电子的沉积能随入射深度逐渐减少.对于0.1 ～500 keV的入射电子,GaN、SiC等半导体材料的背散射系数大约在0.04～0.38之间,其大小与材料及入射电子能量有关.β粒子在GaN、SiC等材料中的射程都比较短,对于0.5 MeV的β粒子其最大射程不超过1 mm.

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来源
《核电子学与探测技术》 |2013年第2期|221-226|共6页
作者
左国平; 周剑良; 柯国土;
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作者单位

南华大学核科学技术学院,湖南衡阳421001;

中国原子能科学研究院,北京102413;

南华大学核科学技术学院,湖南衡阳421001;

中国原子能科学研究院,北京102413;

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正文语种 chi
中图分类辐射探测技术和仪器仪表;
关键词
蒙特卡罗方法; 宽带隙半导体; 电子数密度; 背散射系数; 射程;

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