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王祖军; 刘书焕; 唐本奇; 陈伟; 黄绍艳; 肖志刚; 张勇; 刘敏波;
清华大学工程物理系,粒子技术与辐射成像教育部重点实验室北京,100084;
西北核技术研究所,陕西,西安,710024;
SiGe HBT; 中子辐照; 缺陷能级; 直流增益; 截止频率; MEDICI; 数值模拟;
机译:3×10 20 cm-2的En≥1MeV中子辐照α-Al2O3中的空洞演化
机译:应变Si / SiGe器件的数值模拟:分层方法
机译:Si衬底上的GaAsP-SiGe双结太阳能电池中SiGe太阳能电池的材料和器件分析
机译:1MeV P离子注入高存储器件的RTA微缺陷特征分析研究
机译:在Si / SiGe异质结构中对两种量子位器件的进展
机译:在1MeV Kr2 +高温辐射下通过ODS奥氏体不锈钢样品的TEM分析获得的光谱和原始准原位能量色散X射线数据
机译:SiGe溅射外延技术及其在SiGe器件中的应用
机译:siGe器件和电路中的辐射硬化和重离子与激光相关。
机译:基于SiGe或SiGeC的HBT与带SiGe或SiGeC的半导体器件的集成
机译:制造具有具有非晶SiGe栅电极和升高的结晶SiGe源/漏结构的MOSFET的半导体器件的方法以及由此形成的器件
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