CMOS器件预辐照筛选可行性及方法研究

著录项

• 来源
  《核电子学与探测技术》 |2006年第4期|470-473,495|共5页
• 作者

  李爱武; 余学峰; 任迪远; 汪东; 匡治兵; 牛振红;

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• 作者单位

  中国科学院新疆理化技术研究所,新疆乌鲁木齐,830011;

  中国科学院研究生院,北京,100049;

  中国科学院新疆理化技术研究所,新疆乌鲁木齐,830011;

  中国科学院新疆理化技术研究所,新疆乌鲁木齐,830011;

  中国科学院新疆理化技术研究所,新疆乌鲁木齐,830011;

  中国科学院研究生院,北京,100049;

  中国科学院新疆理化技术研究所,新疆乌鲁木齐,830011;

  中国科学院研究生院,北京,100049;

  中国科学院新疆理化技术研究所,新疆乌鲁木齐,830011;

  中国科学院研究生院,北京,100049;

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• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 场效应型;
• 关键词

  CMOS; 预辐照; 筛选; 退火;