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范隆; 任迪远; 郭旗; 严荣良; 朱光武; 王世金; 梁金宝;
西安电子科技大学微电子所,陕西,西安,710071;
中国科学院新疆物理研究所,新疆,乌鲁木齐,830011;
中国科学院空间科学与应用研究中心,北京,100080;
PMOS剂量计; 电离辐射; 总剂量; 卫星应用;
机译:总剂量辐照对nMOS和pMOS晶体管噪声的栅极电压依赖性的影响
机译:绝缘体上硅pMOSFET的反向晶体管的总剂量辐射和退火响应
机译:PMOS通过近阈值操作的虚拟VSS将PMOS传递门锁局部位线SRAM架构
机译:ISL70061Seh和ISL70062SEH PMOS和NMOS负载开关的总剂量测试
机译:具有超低静态电流的宽带宽高电源抑制比PMOS线性低压丢失调节器
机译:验证修订后的患者安全措施:PMOS-30和PMOS-10
机译:绝缘体上硅 - 绝缘体PMOSFET的后晶体管的总剂量辐射和退火响应
机译:在极端温度下操作sOI p沟道场效应晶体管CHT-pmOs30
机译:NMOS PMOS NMOS和PMOS应变器件,没有松弛的基体
机译:PMOS FINFET改进的PMOS FINFET
机译:用于PMOS集成的PMOS IV列IV晶体管
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