等离子体表面处理的正电子湮没研究

机译：利用LCS-γ射线的简化高能正电子湮没测量系统的简化高能正电子湮没测量系统的研制

机译：正电子湮没寿命和多普勒扩大测量研究的正电子淬火

机译：通过使用LCS Gamma-ray产生的高能正电子在新斯巴鲁的高能量正电子对散装非晶合金的正电子湮没多普勒拓宽测量

机译：优化SI_（0.5）GE_（0.5）/ SI界面质量通过低能氢等离子体清洗和正电子湮没光谱研究的研究

机译：正电子湮没光谱技术的新开发：从实验设置到高级加工软件

机译：通过正电子湮没寿命光谱和椭圆仪孔隙测定研究的开放孔隙率和孔径分布的介孔二氧化硅膜

机译：采用低能氢等离子体清洗工艺改善si0.5Ge0.5 / si界面质量，并用正电子湮没光谱研究界面质量

机译：正电子湮没比率光谱研究应用于材料界面的正电子

机译：用于正电子湮没特性的测量装置和测量方法

机译：用于测量正电子湮没寿命的装置，调整辐射测量仪的方法，以及辐射测量仪

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