高温下4H-SIC α探测器的性能研究

著录项

• 来源
  《核电子学与探测技术》 |2018年第6期|805-810|共6页
• 作者

  李正; 雷家荣; 范义奎; 吴锟霖; 蒋勇; 白忠雄; 高辉; 鲁艺; 吴健;

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• 作者单位

  中国工程物理研究院核物理与化学研究所;

  四川绵阳621900;

  中国工程物理研究院中子物理重点实验室;

  四川绵阳621900;

  中国工程物理研究院成都科学技术发展中心;

  四川成都610200;

  中国工程物理研究院核物理与化学研究所;

  四川绵阳621900;

  中国工程物理研究院中子物理重点实验室;

  四川绵阳621900;

  中国工程物理研究院核物理与化学研究所;

  四川绵阳621900;

  中国工程物理研究院中子物理重点实验室;

  四川绵阳621900;

  中国工程物理研究院核物理与化学研究所;

  四川绵阳621900;

  中国工程物理研究院中子物理重点实验室;

  四川绵阳621900;

  中国工程物理研究院核物理与化学研究所;

  四川绵阳621900;

  中国工程物理研究院中子物理重点实验室;

  四川绵阳621900;

  中国工程物理研究院核物理与化学研究所;

  四川绵阳621900;

  中国工程物理研究院中子物理重点实验室;

  四川绵阳621900;

  中国工程物理研究院核物理与化学研究所;

  四川绵阳621900;

  中国工程物理研究院中子物理重点实验室;

  四川绵阳621900;

  中国工程物理研究院核物理与化学研究所;

  四川绵阳621900;

  中国工程物理研究院中子物理重点实验室;

  四川绵阳621900;

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• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 TL816.3;
• 关键词

  4H-SiC探测器; 高温; 漏电流; 能谱; 能量分辨率;