大功率SiC MOSFET驱动电路设计

吴凯铭; 高大庆; 高杰; 李明睿; 申万增

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大功率SiC MOSFET驱动电路设计

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为了使强流重离子加速器装置(HIAF)碳化硅功率开关器件SiC MOSFET工作在理想状态,设计了基于SIC1182K驱动芯片的SiC MOSFET驱动电路.对该驱动电路的输出电压、响应时间、脉宽连续可调性、稳定性和可靠性进行实验测试,测试结果表明:该驱动电路能够长时间、稳定可靠工作,满足SiC MOSFET的工作需求.

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来源
《核电子学与探测技术》 |2020年第3期|412-416|共5页
作者
吴凯铭; 高大庆; 高杰; 李明睿; 申万增;
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作者单位

中国科学院近代物理研究所兰州730000;

中国科学院大学北京100049;

中国科学院近代物理研究所兰州730000;

中国科学院近代物理研究所兰州730000;

中国科学院近代物理研究所兰州730000;

中国科学院近代物理研究所兰州730000;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类重离子加速器;
关键词
加速器电源; SIC1182K; SiC MOSFET; 驱动电路;

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