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王关全; 杨玉青; 胡睿; 刘业兵; 熊晓玲; 罗顺忠;
中国工程物理研究院核物理与化学研究所 绵阳621900;
辐伏同位素电池; GaN器件; Si器件; 电输出性能;
机译:冲击载荷下三辐和四辐方向盘电枢的防撞性能比较
机译:Al / SiO2 / n-GaN和ITO / SiO2 / n-GaN金属??氧化物??半导体光电探测器的电和光学性能比较
机译:GaN功率晶体管的性能比较和器件设计问题的研究
机译:具有进步钝化的GAN-ON-SI解决方案,用于快速切换600V器件
机译:GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征= GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征
机译:GaN MEMS谐振器中可切换传感器:性能比较和分析
机译:GaN功率电子器件:从GaN-on-si横向晶体管到GaN-on-GaN垂直晶体管和GaN CmOs IC。
机译:在Si(111)/(001)SOI衬底或Si(001)/(111)SOI衬底上连续生长GaN和GaAs表象层的方法以及使用在Si(111)上连续形成的GaN和GaAs表象层的半导体发光器件模块)/(001)由此制造的SOI基板
机译:具有GaN层的Si器件衬底上的GaN包括10nm以下的SiNx中间层,可促进晶体生长并减少螺纹位错
机译:用于高电流/高压横向GaN晶体管的GaN-on-si半导体器件结构及其制造方法
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