法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-09-06
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L33/32 申请公布日:20151014 申请日:20150526
发明专利申请公布后的驳回
2015-11-18
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L33/32 申请日:20150526
实质审查的生效
2015-10-14
公开
公开
机译: 在SiC衬底上形成的GaN基LED
机译: 用于制造GaN基外延层的单晶衬底,制造该外延层的方法,包括该GaN基外延层的LED和LD
机译: GaN基LED器件和用于外延生长的衬底