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张兴尧; 郭旗; 张乐情; 卢健; 吴雪; 于新;
中国科学院新疆理化研究所 乌鲁木齐830011;
中国科学院大学 北京100049;
浮栅型Flash存储器; 最高工作频率; 电荷泵;
机译:25 MeV质子的辐射损伤效应和溴化th核辐射探测器的热退火效应
机译:半导体J系列硅光倍增器的质子辐射损伤和退火效应
机译:高通量注入少量MeV碳的金刚石的结构,辐射损伤和退火效应
机译:SOI NMOSFET中总剂量辐照退火效应的特性分析
机译:辐射损伤积累和退火对锆石氦气扩散的影响
机译:GaAs(111)A衬底上的液滴外延生长InAs量子点的特性和热退火效应
机译:辐射退火筛选半导体器件中的总剂量效应
机译:硅注入砷化镓的辐射损伤与退火效应研究
机译:一种通过结合无扩散退火工艺的后期深度注入来改善场效应晶体管的晶体管特性的方法
机译:通过石墨化效应晶体管退火生产具有良好滑动特性的可选nsta末端
机译:检测总剂量效应的方法和装置
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