50-170 keV质子照射对GaAs/Ge太阳能电池光谱响应的影响

赵慧杰; 何世禹; 肖志彬; 孙彦铮; 肖景东; 张益君

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50-170 keV质子照射对GaAs/Ge太阳能电池光谱响应的影响

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用固定能量(100 keV)不同注量(1×1011-3×1012 cm-2)或固定注量(3×1012 cm-2)不同能量(50-170 keV)的质子,照射GaAs/Ge太阳电池,获得材料的光谱响应特性随质子能量和注量的变化关系.结果表明,质子辐照对材料的光学性能有破坏性的影响.这种破坏性源于质子辐照引入的大量缺陷,使晶格空间的完整性受到破坏,导致少子的扩散长度降低、表面复合速度增加.在质子能量相同的条件下,电池光学性能衰降随照射注量增大;在注量相同的条件下,辐射能量越高,太阳电池光学性能衰降越大.

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来源
《核技术》 |2008年第1期|31-34|共4页
作者
赵慧杰; 何世禹; 肖志彬; 孙彦铮; 肖景东; 张益君;
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作者单位

哈尔滨工业大学,哈尔滨,150001;

哈尔滨工业大学,哈尔滨,150001;

中国电子科技集团公司第十八研究所,天津,300381;

中国电子科技集团公司第十八研究所,天津,300381;

哈尔滨工业大学,哈尔滨,150001;

哈尔滨工业大学,哈尔滨,150001;

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正文语种 chi
中图分类太阳能电池;
关键词
GaAs/Ge太阳电池; 质子辐射; 光谱响应;

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