强流脉冲电子束表层改性过程的三维温度场数值模拟

宋振飞; 秦颖; 郝胜智; 董闯; 吴平生; 张向东

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采用了柱坐标系下的轴对称(三维简化)温度场模型,对低能(1～6J·cm-2)、强流(10～40kA·cm-2)、短脉冲(1～6μs)电子束辐照靶材过程中的温度场演化进行了数值模拟.结果表明,靶材经强流脉冲电子束轰击后,亚表层(深度0.12～0.24μm,径向0～0.13cm范围内)首先完成固液相变,熔体迅速突破外表层,形成火山坑;随后熔化层迅速扩大到深度0.99μm,径向约2.01cm范围内;辐照过程中的升降温速率达108～109K·s-1.随后的试验结果显示,重熔层深度约为1～2μm,辐照边界出现明显的过渡区,表层晶粒得到细化,这与模拟结果吻合.

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来源
《核技术》 |2008年第6期|455-459|共5页
作者
宋振飞; 秦颖; 郝胜智; 董闯; 吴平生; 张向东;
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作者单位

大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连,116024;

大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连,116024;

大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连,116024;

大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连,116024;

大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连,116024;

大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连,116024;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类约束与加热;热学性质;金属的组织;微分方程、积分方程的数值解法;
关键词
强流脉冲电子束(HCPEB); 三维温度场; 数值模拟;

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