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谢常青; 陈大鹏; 李兵; 叶甜春; 伊福廷; 彭良强; 韩勇; 张菊芳;
中国科学院微电子研究中心,北京,100010;
中国科学院高能物理研究所,北京,100039;
X射线光刻; 同步辐射; 束衍生法; 光刻分辨率;
机译:具有多头压印单元的UV-纳米压印光刻设备,可用于50nm以下的半间距图案
机译:通过纳米压印光刻技术对50nm以下半节距进行化学构图
机译:用原位X射线极值图测量研究50nm厚薄膜50nm厚薄膜的单轴变形行为
机译:喷雾热解过程制备50nm以下50nm以下的纳米氧化铟粉
机译:热畸变对光束线光学设计产生高通量同步加速器辐射的影响。
机译:fT高于460-GHz的50nm以下50nm nMOSFET的小信号性能和建模
机译:亚50nm X射线光刻技术应用于耦合量子点器件
机译:通过具有50nm线宽的X射线掩模的三电平电子束光刻制造,以及通过X射线纳米光刻复制
机译:在用50nm或以下或下方的线空间尺寸处理图案材料时,使用包含溶剂混合物的组合物用于避免模式塌陷
机译:使用由氨和链烷醇组成的组合物,用于避免在处理具有50nm或以下的线空间尺寸的图案材料时抵抗
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