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具有至少三个短链全氟化基团的表面活性剂在制造具有行间距尺寸为50nm以下的图案的集成电路中的用途

摘要

本发明涉及表面活性剂A在制造包含行间距尺寸为50nm以下且纵横比>3的图案的集成电路中的用途,所述表面活性剂A的1重量%水溶液显示出<25mN/m的静态表面张力,所述表面活性剂A包含至少三个选自三氟甲基、五氟乙基、1‑七氟丙基、2‑七氟丙基、七氟异丙基和五氟硫烷基的短链全氟化基团Rf;以及在浸渍光刻胶层、暴露于光化辐射的光刻胶层、用于暴光后的光刻胶层的显影剂溶液中和/或在用于包含行间距尺寸为50nm以下且纵横比>3的图案的显影图案化光刻胶的化学冲洗溶液中使用表面活性剂A的光刻法。通过表面活性剂A,防止图案皱缩,降低线边缘粗糙,防止和除去水印瑕疵并通过除去颗粒而减少瑕疵。

著录项

  • 公开/公告号CN103328610B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-08-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 巴斯夫欧洲公司;

    申请/专利号CN201280006322.6

  • 发明设计人 A·克里普;D·梅尔;

    申请日2012-01-17

  • 分类号

  • 代理机构北京市中咨律师事务所;

  • 代理人刘金辉

  • 地址 德国路德维希港

  • 入库时间 2022-08-23 09:43:39

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-08-10

    授权

    授权

  • 2014-06-04

    实质审查的生效 IPC(主分类):C09K 13/08 申请日:20120117

    实质审查的生效

  • 2013-09-25

    公开

    公开

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