离子注入SOI薄膜材料的制备及性能

著录项

• 来源
  《核技术》 |2000年第10期|697|共1页
• 作者

  卢殿通; Rysse.H;

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• 作者单位

  北京师范大学低能核物理研究所;

  北京市辐射中心 北京100875;

  北京师范大学低能核物理研究所;

  北京市辐射中心 北京100875;

  Fraungofer-Arbeitsgruppe fur Integrierte Schaitungem Abteilung furBauelementetechnologie, D-8520 Erlangen, Germrnany;

  Department of Electronic and Electrical Engineering, University of Surrey,Guilford, Surey GU2 5XH, UK.;

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• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 TN304.055;
• 关键词

  离子注入; SOI材料; 电学性能;