X射线及低能γ光子在金属箔透射面的光致电子发射产额

刘昶时

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X射线及低能γ光子在金属箔透射面的光致电子发射产额

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采用改进的密立根光电流测量法，在透射方向测量了＾２４１Ａｍ放射源的Ｘ射线及低能γ光子在透过不同厚度的Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｔａ及Ｗ箔时光致电子发射的产额。结果表明：光致电子发射产额在样品厚度范围内随箔厚的增加而减少；在高原子序数材料中将产生更多的光致电子发射。提出了“射程层贡献”模型，以该模型为基础建立的计算方法所得结果与实验值间相对误差平均约为１０％。

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来源
《核技术》 |1998年第7期|436-439|共4页
作者
刘昶时;
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作者单位

新疆石油学院;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类基础理论;
关键词
透射方向; 光致电子发射; 产额; X射线; γ射线;

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