利用离子束技术及PECVD制备碳化硅

机译：中子辐照对PECVD技术制备的非晶碳化硅和氮掺杂碳化硅薄膜电学特性的影响

机译：使用两种不同的RF模式通过PECVD技术制备的Au / a-SiC / Si异质结构中非晶碳化硅的行为

机译：用VHF-PECVD技术制备的碳化硅薄膜的表征

机译：通过PECVD技术制备的用于太阳能电池的碳化硅薄膜的FTIR光谱

机译：使用直流鞍场PECVD制备的氢化非晶碳化硅，用于光伏应用。

机译：聚焦离子束制备的透射电子显微镜检查大气化学蒸汽渗透碳化硅形态学

机译：用VHF-PECVD制备p型氢化纳米晶碳化硅/ n型晶硅异质结太阳能电池。

机译：反应离子束溅射制备碳化硅薄膜。

机译：利用离子束技术制造数字媒体并利用离子束技术创造数字媒体

机译：利用使用离子束技术的数字介质的编译和离子束技术，形成了数字介质

机译：利用沟道将离子注入碳化硅中的方法以及利用沟道将离子注入碳化硅中制备的器件的方法