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在MEVVA源中银离子注入单晶6Hα—SiC的研究

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室温下在５０ｋＶ电压的ＭＥＶＶＡ离子源中用不同不剂量的银离子注入到单昌６Ｈα－ＳｉＣ中，对未注入和注入的ＳｉＣ样品进行了显微硬度和压坑的扫描电子显微镜观察，并研究了其拉曼谱、卢瑟福背散射谱和Ｘ光电子能谱等。

著录项

来源
《核技术》 |1996年第4期|193-198|共6页
作者
汪泓宏; 卢东晖;
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作者单位

不详;

不详;

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正文语种 CHI
中图分类 TQ174.758;
关键词
离子源; 离子注入; 银; 陶瓷; 非晶态; 碳化硅;

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