MeV级Si＋高温注入GaAs的晶格损伤积累与注入剂量的关系

李岱青; 朱沛然

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用卢瑟福背散射／沟道技术研究了１ＭｅＶＳｉ＋加温注入ＧａＡｓ所造成的晶格损伤积累与注入剂量的关系．观察到三个不同的损伤剂量区：在５×１０１４─２×１０１５ｉｏｎｓ／ｃｍ２的低剂量区内，晶格损伤轻微并且几乎与注入剂量无关；在２×１０１５─１×１０１６ｉｏｎｓ／ｃｍ２的中等剂量区域内，在几乎无损伤的表面区域以下形成损伤埋层，晶格损伤积累随注入剂量的增加而迅速增加；在高于１×１０１６ｉｏｎｓ／ｃｍ２的高剂量区域内，晶格损伤积累随注入剂量的增加而缓慢增加．从级联碰撞和空位扩散迁移的角度分析了相关的物理过程．

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来源
《核技术》 |1995年第6期|348-351|共4页
作者
李岱青; 朱沛然;
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作者单位

不详;

不详;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类掺杂;
关键词
砷化镓; 硅离子; 离子注入; 晶格损伤; 注入剂量;

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