60Co辐照引起MOS电容可动离子的变化

高文钰; 严荣良

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本工作采用TVS测量技术,系统地研究了铝栅MOS电容中可动离子数目随^(69)Co γ辐照剂量和辐照所加偏压的变化关系。结果表明:辐照后可动离子减少,对干氧通TCE和纯干氧栅氧化电容实验都有类似的结果;在相同剂量辐照下,正偏辐照引起的可动离子碱少最大,负偏次之,零偏最小;在剂量为1×10~3—5×10~3Gy(Si)范围内,零偏辐照的可动离子减少量随剂量增大而增加,但正偏辐照似乎在1×10~5Gy(Si)时,减小量就趋于“饱和”。此外,随着TVS测量次数增加,可动离子有少量增加。最后,对实验现象的机制进行了探讨。

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来源
《核技术》 |1991年第1期|17-22|共6页
作者
高文钰; 严荣良;
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作者单位

不详;

不详;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类金属-氧化物-半导体（MOS）器件;
关键词
60Co; 辐照; MOS电容; 可动离子;

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