首页> 中文期刊> 《核技术》 >1.2MeV双电荷态磷离子注入硅的研究

1.2MeV双电荷态磷离子注入硅的研究

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

本文介绍了离子源使用不同放电物质所获得的双电荷态磷离子注入硅的工作。实验结果表明:在600kV离子注入机上利用双电荷态离子得到的1.2MeVP^(2+)注入硅可获得适用于制备VLSI的CMOS电路中杂质反向分布N阱结构的掩埋层。

著录项

来源
《核技术》 |1989年第4期|191-194|共4页
作者
耿海阳; 关安民;
展开▼
作者单位

不详;

不详;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类掺杂;
关键词
双电荷态; 离子; 离子注入; 污染; VLSI;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 单晶硅中磷离子注入缺陷的HREM研究 [J] . 严勇 ,李齐 ,冯端 . 半导体学报：英文版 . 1989,第4期
2. 双电荷离子注入技术 [J] . 张义强 ,郑宜钧 . 微电子技术 . 1996,第001期
3. 双电荷离子注入的倒阱技术 [J] . 郑宜钧 ,张义强 . 微细加工技术 . 1991,第003期
4. 磷离子注入诱导InGaAsP/InP双量子阱混合的研究 [J] . 陈杰 ,王永晨 ,赵杰 . 光子技术 . 2005,第004期
5. 高能磷离子注入硅晶格的损伤初探 [J] . 吴瑜光 ,孙贵如 . 核技术 . 1995,第009期
6. 离子注入区熔单晶硅双极器件的研究 [C] . 韩德俊 ,张秀荣 ,田晓娜 . 第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会 . 2003
7. 电荷诱导双侧基有机分子高自旋态的理论研究 [A] . 靳红梅 . 2009

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号