PERL Si基LED的几种关键技术分析

刘伟; 牛萍娟; 李晓云; 郭维廉

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Si材料在微电子集成领域有着不可替代的地位。然而,在光电集成领域,由于Si为间接带隙半导体材料,Si材料本身并不是很适合用来制作发光器件。但是,成熟的微电子制造技术促使Si基光电器件的研究受到了越来越多的关注。本文介绍了在全硅发光取得新突破的PERL型Si基LED,分析了该结构中提高发光效率的关键技术,并对此结构进行评述,给今后的全硅发光研究领域提供了一个新的思路。

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来源
《光机电信息》 |2009年第1期|34-37|共4页
作者
刘伟; 牛萍娟; 李晓云; 郭维廉;
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作者单位

天津工业大学信息与通信工程学院天津 300160;

天津大学电子信息工程学院天津 300072;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN312.8;
关键词
PERL; 硅基LED; 光陷阱; 转换效率;

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