“HVPE法生长GaN自支撑衬底项目”落户德泓

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近日,中国科学院上海微系统与信息技术研究所与德泓（福建）光电科技有限公司正式签订《技术转让合同》和《技术开发协议书》,中国科学院上海微系统与信息技术研究所＂HVPE法生长GaN衬底技术＂的所有知识产权,包括与此相关的已授权和正在申请的专利以及双方认可的关键技术全部转让给德泓光电：双方还就合作开展“HVPE法生长GaN自支撑衬底项目”事宜达成一致。

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来源
《光机电信息》 |2011年第8期|81-81|共1页
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正文语种 chi
中图分类 TN304.23;
关键词
GaN; PE法; 自支撑; 衬底; 生长; 中国科学院; 技术开发; 技术转让;

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